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PBSS5160T,215-JSM
低集电极-发射极饱和电压PNP表面贴装晶体管，适用于中功率放大和开关
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- 描述
- 晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：1A 集射极击穿电压(Vceo)：60V 耗散功率(Pd)：400mW
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PBSS5160T,215-JSM
- 商品编号
- C53114251
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 725mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 150MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 175mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
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