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BC847BPN-JSM
塑料封装晶体管，外延芯片结构，单封装内有两个独立的NPN/PNP晶体管
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- 描述
- 晶体管类型：NPN+PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：475@2mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BC847BPN-JSM
- 商品编号
- C53114262
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 475；450 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV；300mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V；5V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
商品特性
- 外延芯片结构
- 单封装内包含两个隔离的NPN/PNP(BC847W+BC857W)晶体管
- PBSS8110Z,135-JSM
- BFS20,215-JSM
- PMEG6002EB,115-JSM
- BAV170,215-JSM
- PMV130ENEAR-JSM
- BZX384-C10,115-JSM
- BZX84-A5V1,215-JSM
- BZX84-B5V1,215-JSM
- BAV23S,215-JSM
- BZX384-B18-JSM
- BZX84-B5V6,215-JSM
- HEF4017BT,653-JSM
- PUSB3AB4Z-JSM
- PESD5V0X1BT,215-JSM
- 74LV1T34GWH-JSM
- SN74HC373D-JSM
- SN74HC573PW-JSM
- 74LVC1G3157GV-JSM
- SN74AHC245PWR-JSM
- SN74LVC2G125DCTR-JSM
- 74LVC2G04GW-JSM