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PESD5V0X1BT,215-JSM
ESD保护二极管阵列，单向配置，固态硅雪崩技术，低钳位电压和低泄漏电流，可保护两条数据线
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- 描述
- 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：5V 钳位电压：15V 峰值脉冲电流(Ipp)：3.5A@8/20us 峰值脉冲功率(Ppp)：45W@8/20us 击穿电压：8V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PESD5V0X1BT,215-JSM
- 商品编号
- C53114276
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | - | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 3.5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 45W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.7pF |
商品特性
- 45瓦脉冲功率（脉冲时间tp = 8/20微秒）
- 单向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- 低电容（结电容Cj典型值为0.7皮法）
- 保护两条数据线
- 符合IEC 61000 - 4 - 2标准，接触放电±15V，空气放电±15kV
- 符合IEC 61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群）标准，40A（5/50纳秒）
- 符合IEC 61000 - 4 - 5（雷击浪涌）标准，3.5A（8/20微秒）
- 采用SOT - 23封装
应用领域
- 数据线
- 自动取款机
- 网络
- 电源线
- BFS20,215-JSM
- 74LV1T34GWH-JSM
- SN74HC373D-JSM
- SN74HC573PW-JSM
- 74LVC1G3157GV-JSM
- SN74AHC245PWR-JSM
- SN74LVC2G125DCTR-JSM
- 74LVC2G04GW-JSM
- 74HC4051PW,118-JSM
- 74LVC1G86GV-JSM
- SN74HC20DR-JSM
- 74AHCT1G32GW-JSM
- 74AHC08D,118-JSM
- 74HC4050D,653-JSM
- 74LVC2G74DP,125-JSM
- 74LVC1G126GV-JSM
- 74LVC1G00GV-JSM
- SN74HC365DR-JSM
- 74LVC125APW,118-JSM
- 74HC390D,653-JSM
- 74HC366D,653-JSM