温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PMV130ENEAR-JSM

N沟道快速开关MOSFET，采用Trench Power MOSFET技术，散热封装出色，低导通电阻

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：2.1A 导通电阻(RDS(on))：120mΩ 耗散功率(Pd)：1W 阈值电压(Vgs(th))：2.5V
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: PMV130ENEAR-JSM
商品编号: C53114266
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.057克(g)

商品参数

采用沟槽功率MOSFET技术，具备出色的散热封装，采用高密度单元设计以实现低导通电阻（Rds(ON)），湿度敏感度等级为1级，环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级，无卤。