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BC817DPN,115-JSM
塑料封装晶体管，采用外延芯片结构，SOT23-6L封装
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- 描述
- 晶体管类型：NPN+PNP 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 耗散功率(Pd)：330mW 直流电流增益(hFE)：400@100mA,1V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BC817DPN,115-JSM
- 商品编号
- C53114218
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0362克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA；500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V；45V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW；200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 400；400 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz；80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA；100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 700mV；700mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V；5V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
- BC856B-QR-JSM
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- PMEG3005AEA,115-JSM
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