PUMD2,115-JSM
PUMD2,115-JSM
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- 描述
- 数量：1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：60@5mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PUMD2,115-JSM
- 商品编号
- C53114229
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | - | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 56 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@5mA,0.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 输入电阻 | 28.6kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品概述
PUMD2,115-JSM是一款双数字晶体管，在SOT-363封装中集成了NPN和PNP芯片。它具有独立的晶体管元件以避免干扰，支持自动安装，降低了安装成本和空间占用，为电子电路提供可靠的开关性能。
商品特性
- 在一个封装中集成NPN和PNP芯片
- 独立的晶体管元件，无相互干扰
- 与SOT-363自动安装机兼容
- 安装成本和面积降低50%
- 宽工作温度范围：-55~+150℃
应用领域
- 消费电子产品中的开关电路（如小家电、可穿戴设备）
- 低功耗电子设备中的信号放大
- LED和小型电机的驱动电路
- 需要双晶体管功能的空间受限的PCB设计
- 有低电流开关需求的工业控制系统
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