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PUMD2,115-JSM

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描述: 数量：1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：60@5mA,5V
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: PUMD2,115-JSM
商品编号: C53114229
商品封装: SOT-363
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

参数完善中

PUMD2,115-JSM是一款双数字晶体管，在SOT-363封装中集成了NPN和PNP芯片。它具有独立的晶体管元件以避免干扰，支持自动安装，降低了安装成本和空间占用，为电子电路提供可靠的开关性能。