2N7002P-JSM

N沟道增强型MOSFET，表面贴装封装，先进沟槽单元设计，低阈值电压，ESD保护

描述

数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V 耗散功率(Pd)：350mW 阈值电压(Vgs(th))：1.6V

品牌名称

JSMSEMI(杰盛微)

商品型号

2N7002P-JSM

商品编号

C53114238

商品封装

SOT-23​

包装方式

编带

商品毛重

0.0312克(g)