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PMV60ENEAR-JSM
N沟道快速开关MOSFET，采用沟槽功率MOSFET技术，散热出色，低导通电阻
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- 描述
- 数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on))：75mΩ@10V,3A 耗散功率(Pd)：615mW 阈值电压(Vgs(th))：2.5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PMV60ENEAR-JSM
- 商品编号
- C53114216
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 435pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用沟槽功率MOSFET技术；具备出色的散热封装；为实现低导通电阻（RDS(ON)）采用高密度单元设计；湿度敏感度等级为1级；环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级；无卤。
商品特性
- 100%进行EAS测试
- 100%进行VVds测试
应用领域
- 电源开关应用
- 不间断电源
- DC - DC转换器
- 电机驱动器