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BC846S,115-JSM
双晶体管（NPN+NPN），单封装集成两个晶体管，减少元件数量和电路板空间，晶体管间无相互干扰
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- 描述
- 晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：65V 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：250@10uA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BC846S,115-JSM
- 商品编号
- C53114227
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 450 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV；300mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 2个NPN |