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PDTC114ET-QR-JSM
内置偏置电阻的NPN数字晶体管，适用于数字逻辑应用
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- 描述
- 数量：1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PDTC114ET-QR-JSM
- 商品编号
- C53114201
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品概述
PDTC114ET - QR - JSM由集成偏置电阻的NPN数字晶体管组成，无需外部输入电阻即可构成反相器电路。薄膜电阻可为负偏置提供完全隔离，最大限度减少寄生效应。该器件只需配置开/关条件，简化了设计，适用于数字逻辑应用。
商品特性
- 集成偏置电阻：无需外部输入电阻即可配置反相器电路（参考等效电路）。
- 薄膜电阻技术：为负偏置提供隔离并消除寄生效应。
- 简化设计：操作只需设置开/关条件，降低设计复杂度。
- 多种封装选项。
- 宽工作范围：支持高达50V的电源电压和 - 10V ~ + 40V的输入电压。
应用领域
- 信号调理和开关电路
- 消费电子和工业控制系统
- 数字逻辑电路和反相器应用
- 微控制器接口
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