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PDTC114ET-QR-JSM
PDTC114ET-QR-JSM
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- 描述
- 数量：1个NPN-预偏置 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PDTC114ET-QR-JSM
- 商品编号
- C53114201
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031267克(g)
商品参数
参数完善中
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