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PESD36VS2UT,215-JSM
ESD保护二极管阵列，采用固态硅雪崩技术，单向配置，低钳位电压和低漏电流，符合多项IEC标准，SOT-23封装
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- 描述
- 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：36V 钳位电压：75V 峰值脉冲电流(Ipp)：6A 峰值脉冲功率(Ppp)：300W@8/20us 击穿电压：40V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PESD36VS2UT,215-JSM
- 商品编号
- C53114191
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0291克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 36V | |
| 钳位电压 | 75V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 4A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 300W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 45.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 12pF |
商品特性
- 300瓦峰值脉冲功率（脉冲宽度tp = 8/20微秒）
- 单向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- IEC 61000 - 4 - 2标准：±15kV接触放电，±20kV空气放电
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）标准：40A（5/50纳秒）
- IEC 61000 - 4 - 5（雷电）标准：4A（8/20微秒）
应用领域
- 数据线
- 自动取款机
- 网络
- 电源线
- PESD3V3S1UB-JSM
- PESD5V0L5UY,115-JSM
- IP4292CZ10-TBR,115-JSM
- PESD12VS1UB,115-JSM
- PESD2ETH-AXR-JSM
- PUSB3FR4-JSM
- BAS16W,115-JSM
- PMV20ENR-JSM
- PDTC143ZU,115-JSM
- BZV55-B15,115-JSM
- BZX384-B5V6,115-JSM
- PDTC114ET-QR-JSM
- BC817-25-QR-JSM
- PMEG4005EJ,115-JSM
- BAS116,215-JSM
- BZX84-C6V2,215-JSM
- PMEG4005EH,115-JSM
- BZV55-C10,115-JSM
- HEF4050BT,653-JSM
- BAS40-06,215-JSM
- PMV60ENEAR-JSM