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BC848B-JSM
NPN通用晶体管，高电流增益、低噪声，适用于AF输入级和驱动应用
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- 描述
- 晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：30V 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：200@2mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BC848B-JSM
- 商品编号
- C53114189
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0318克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 250 | |
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV；90mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品特性
- 高电流增益
- 优异的hFE线性度
- 30Hz ~ 15kHz范围内的低噪声
- 适用于音频输入级和驱动应用
应用领域
- 通用型切换与放大
- BC817-25-QR-JSM
- HEF40106BT-JSM
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- PESD5V0L5UY,115-JSM
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- PMV20ENR-JSM
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- BZV55-B15,115-JSM
- BZX384-B5V6,115-JSM
- PDTC114ET-QR-JSM
- PMEG4005EJ,115-JSM
- BAS116,215-JSM
- BZX84-C6V2,215-JSM
- PMEG4005EH,115-JSM
- BZV55-C10,115-JSM
- PESD2ETH-AXR-JSM
- HEF4050BT,653-JSM
- BAS40-06,215-JSM