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PESD5V0H1BSF-JSM

超低电容ESD保护二极管，采用单晶硅技术，响应快、钳位电压低，适用于便携式设备

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描述: 极性：双向反向截止电压(Vrwm)：5V 钳位电压：5V 峰值脉冲电流(Ipp)：7A@8/20us 击穿电压：10V
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: PESD5V0H1BSF-JSM
商品编号: C53114122
商品封装: DFN0603-2
包装方式: 编带
商品毛重: 0.00929克(g)

商品参数

商品概述

PESD5V0H1BSF-JSM是一款双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用领先的单片硅技术，具有快速响应时间和低ESD钳位电压，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，支持±20 kV空气放电和±15 kV接触放电。它采用超紧凑、无铅的0201封装（尺寸：0.6×0.3×0.3 mm）。PESD5V0H1BSF-JSM的紧凑尺寸和高ESD浪涌保护能力，使其成为保护便携式应用（如手机、数码相机、音频播放器等类似设备）的优质选择。

商品特性

超小封装：0.6×0.3×0.3mm
超低电容：典型值0.35pF
超低泄漏：纳安级别
低工作电压：5V
低钳位电压
2引脚无铅封装
符合以下标准：IEC 61000 - 4 - 2（ESD）抗扰度测试
空气放电：±20kV
接触放电：±15kV
符合RoHS标准
引脚镀层：镍钯金

应用领域

智能手机
显示端口
MDDI端口
USB端口
数字视频接口（DVI）
PCI Express和串行SATA端口

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	12V
	峰值脉冲电流(Ipp)	-
	峰值脉冲功率(Ppp)	80W@8/20us
	击穿电压(VBR)	6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	100pA
	通道数	-
	工作温度	-55℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.35pF