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BC850C,215-JSM
NPN晶体管，低电流、低电压，SOT - 23封装
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- 描述
- 晶体管类型：NPN 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：30V 耗散功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE)：240@10uA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BC850C,215-JSM
- 商品编号
- C53114143
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 520 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 90mV；200mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个NPN |
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