BCP53,115-JSM
适用于AF驱动和输出级的PNP晶体管,具有高集电极电流和低集电极-发射极饱和电压,采用SOT-223封装
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- 描述
- 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):80V 耗散功率(Pd):1.3W 直流电流增益(hFE):250@150mA,2V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BCP53,115-JSM
- 商品编号
- C53114183
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2109克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 直流电流增益(hFE) | 250 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 适用于音频驱动和输出级
- 高集电极电流
- 低集电极-发射极饱和电压
- 互补类型:BCP54...BCP56 (NPN)
- SOT-223
- PBSS4240T,215-JSM
- BC848B-JSM
- BC817-25-QR-JSM
- PDZ7.5B,115-JSM
- PMV30UN2R-JSM
- PMEG2005CT,215-JSM
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- HEF40106BT-JSM
- PESD36VS2UT,215-JSM
- PESD3V3S1UB-JSM
- PESD5V0L5UY,115-JSM
- BAS16W,115-JSM
- IP4292CZ10-TBR,115-JSM
- PMV20ENR-JSM
- PESD12VS1UB,115-JSM
- PDTC143ZU,115-JSM
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- PDTC114ET-QR-JSM
- PMEG4005EJ,115-JSM
- BAS116,215-JSM
