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PMV30UN2R-JSM
N沟道先进功率MOSFET，低导通电阻，3.3V逻辑电平控制，SOT23封装，无铅且符合RoHS标准，适用于负载开关、DC/DC转换器、开关电路和电源管理
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- 描述
- 数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 导通电阻(RDS(on))：32mΩ@4.5V,4.2A 耗散功率(Pd)：1W 阈值电压(Vgs(th))：900mV@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PMV30UN2R-JSM
- 商品编号
- C53114185
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0315克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 457pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 71pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
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