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PDTA114ET,215-JSM
内置偏置电阻的PNP硅数字晶体管，采用SOT - 23封装，适用于数字开关和低功耗电子系统
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- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PDTA114ET,215-JSM
- 商品编号
- C53114154
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品概述
PDTA114ET,215-JSM 是内置等值偏置电阻（R1=R2）的 PNP 硅数字晶体管。其采用紧凑的 SOT-23 表面贴装封装，能够简化电路设计，并为各种电子系统提供可靠的数字开关功能。
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 内置等值偏置电阻（R1=R2）
- 提供互补的 NPN 型号（DTC 系列）
- 可选无铅版本
- 宽结温范围（-55 ~ +150℃）
- 高过渡频率（典型值 250MHz）
应用领域
- 数字开关电路
- 低功耗电子系统
- 消费电子
- 通用数字应用
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