温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PDTA114ET,215-JSM
内置偏置电阻的PNP硅数字晶体管，采用SOT - 23封装，适用于数字开关和低功耗电子系统
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PDTA114ET,215-JSM
- 商品编号
- C53114154
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
- PUMH11,115-JSM
- PMEG3020EJ,115-JSM
- NX3008NBKS,115-JSM
- PESD5V0U1BA,115-JSM
- PBSS5350X,115-JSM
- HEF4013BT,653-JSM
- PRTR5V0U2AX,215-JSM
- PMBTA45,215-JSM
- BC856A,215-JSM
- BZX84-B15,215-JSM
- NX7002AK-JSM
- PMEG4020ER,115-JSM
- PBSS4160T,215-JSM
- BSH105,215-JSM
- BAS16VY,115-JSM
- PESD5V0R1BSFYL-JSM
- BC857,215-JSM
- BAS70-JSM
- BCV49,115-JSM
- NX2301P,215-JSM
- BAT721C,215-JSM