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BCV49,115-JSM
NPN达林顿晶体管，高集电极电流、高电流增益，符合RoHS和Reach标准，无卤无锑
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- 描述
- 类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：60V 耗散功率(Pd)：1.1W 集电极电流(Ic)：500mA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BCV49,115-JSM
- 商品编号
- C53114173
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | NPN | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 10000；4000；2000 | |
| 特征频率(fT) | 220MHz | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 1.5V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | 1.4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 高集电极电流
- 高电流增益
- 符合RoHS和Reach标准
- 无卤素和锑
- NX2301P,215-JSM
- BAT721C,215-JSM
- 1PS79SB70,115-JSM
- BZX384-C3V3,115-JSM
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- BCP53,115-JSM
- PDZ7.5B,115-JSM
- PMV30UN2R-JSM
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