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NX2301P,215-JSM
P沟道先进功率MOSFET，低导通电阻，-3.3V逻辑电平控制，SOT23封装，无铅且符合RoHS标准，适用于高端负载开关、开关电路和高速线路驱动器
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- 描述
- 1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NX2301P,215-JSM
- 商品编号
- C53114174
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |