BC807-16-JSM
PNP硅外延平面晶体管,高集电极电流、高电流增益、低集电极 - 发射极饱和电压
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- 描述
- 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):500mA 集射极击穿电压(Vceo):45V 耗散功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE):250@100mA,1V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BC807-16-JSM
- 商品编号
- C53114181
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 197 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 700mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 与BC817互补
- 高集电极电流
- 高电流增益
- 低集电极-发射极饱和电压
- SOT-23
- BCP53,115-JSM
- PBSS4240T,215-JSM
- BC848B-JSM
- BC817-25-QR-JSM
- RB751V40,115-JSM
- PDZ7.5B,115-JSM
- PMV30UN2R-JSM
- PMEG2005CT,215-JSM
- PESD5V0X1BL,315-JSM
- HEF40106BT-JSM
- PESD36VS2UT,215-JSM
- PESD3V3S1UB-JSM
- PESD5V0L5UY,115-JSM
- BAS16W,115-JSM
- IP4292CZ10-TBR,115-JSM
- PMV20ENR-JSM
- PESD12VS1UB,115-JSM
- PDTC143ZU,115-JSM
- BZV55-B15,115-JSM
- BZX384-B5V6,115-JSM
- PDTC114ET-QR-JSM
