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NX3008PBK,215-JSM
P沟道增强型沟槽功率MOSFET，散热出色，低导通电阻
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- 描述
- 漏源电压(Vdss)：25V 连续漏极电流(Id)：660mA 导通电阻(RDS(on))：520mΩ@4.5V 耗散功率(Pd)：500mW 阈值电压(Vgs(th))：1.5V@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NX3008PBK,215-JSM
- 商品编号
- C53114179
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用沟槽功率MOSFET技术；具备出色的散热封装；高密度单元设计，实现低导通电阻（Rds(ON)）；湿度敏感度等级为1级；环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级；无卤素。
商品特性
- 漏源电压（VDs）：-30V
- 漏极电流（ID）：-0.17A
- 导通电阻（Rds(ON)）（在栅源电压VGs = 10V时）：<4700mΩ
- 100%进行EAS测试
- 100%进行VVDs测试
应用领域
- 电源开关应用
- 不间断电源
- DC - DC转换器
- 电机驱动器