温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

NX3008PBK,215-JSM

P沟道增强型沟槽功率MOSFET，散热出色，低导通电阻

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 漏源电压(Vdss)：25V 连续漏极电流(Id)：660mA 导通电阻(RDS(on))：520mΩ@4.5V 耗散功率(Pd)：500mW 阈值电压(Vgs(th))：1.5V@250uA
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: NX3008PBK,215-JSM
商品编号: C53114179
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.030033克(g)

商品参数

采用沟槽功率MOSFET技术；具备出色的散热封装；高密度单元设计，实现低导通电阻（Rds(ON)）；湿度敏感度等级为1级；环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级；无卤素。