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PESD5V0U1BA,115-JSM实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PESD5V0U1BA,115-JSM

ESD保护二极管，采用固态硅雪崩技术，双向配置，适用于数据/电源线保护

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描述
极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压：7V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PESD5V0U1BA,115-JSM
商品编号
C53114157
商品封装
SOD-323​
包装方式
编带
商品毛重
0.028333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压17V
峰值脉冲电流(Ipp)14A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)230W@8/20us
击穿电压(VBR)6V
属性参数值
反向电流(Ir)1uA
通道数单路
工作温度-55℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容1.4pF

商品特性

  • 230瓦峰值脉冲功率（脉冲时间tp = 8/20微秒）
  • 微型0805封装
  • 双向配置
  • 固态硅雪崩技术
  • 低钳位电压
  • 低泄漏电流
  • 低电容（典型电容Cj = 1.4皮法）
  • 保护一条数据/电源线
  • 符合EC 61000 - 4 - 2标准，接触放电±30V，空气放电±30kV
  • 1.2/50微秒、12欧姆、2kV（千兆以太网物理层侧）
  • 10/700微秒、40欧姆、4kV（千兆以太网物理层侧）

应用领域

  • 10/100/1000以太网
  • 集成磁性元件/RJ45连接器
  • 局域网/广域网设备
  • 笔记本电脑、台式电脑和服务器
  • 便携式仪器

数据手册PDF

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