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PUMH11,115-JSM
NPN 50V 100mA
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- 描述
- 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：300mW 直流电流增益(hFE)：30@5mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PUMH11,115-JSM
- 商品编号
- C53114172
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 采用双PUMH11,115-JSM芯片封装
- 可使用SOT-363自动贴装机进行贴装
- 晶体管元件相互独立，消除干扰
- 可降低一半的贴装成本与占用面积
- BCV49,115-JSM
- NX2301P,215-JSM
- BAT721C,215-JSM
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- NX3008PBK,215-JSM
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- BCP53,115-JSM
- PDZ7.5B,115-JSM
- PMV30UN2R-JSM
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- PESD3V3S1UB-JSM
- PESD5V0L5UY,115-JSM