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BSH105,215-JSM
N沟道增强型MOSFET，采用高密度先进沟槽技术，适用于低电压应用
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- 描述
- 数量：1个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 导通电阻(RDS(on))：50mΩ@1.8V 耗散功率(Pd)：1.25W 阈值电压(Vgs(th))：1V@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BSH105,215-JSM
- 商品编号
- C53114167
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03174克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 578pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 116pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |