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BSH105,215-JSM

N沟道增强型MOSFET，采用高密度先进沟槽技术，适用于低电压应用

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描述: 数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 导通电阻(RDS(on))：50mΩ@1.8V 耗散功率(Pd)：1.25W 阈值电压(Vgs(th))：1V@250uA
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: BSH105,215-JSM
商品编号: C53114167
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03174克(g)

商品参数

BSH105是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。该高密度工艺专为最小化导通电阻而优化。这些器件特别适用于低电压应用，并且能够在非常小的表面贴装封装中实现低线路功率损耗。