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NX3008NBKS,115-JSM
N沟道MOSFET，采用沟槽功率MOSFET技术，散热出色，低导通电阻
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- 描述
- 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：800mA 导通电阻(RDS(on))：350mΩ@4.5V；450mΩ@2.5V 阈值电压(Vgs(th))：800mV@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NX3008NBKS,115-JSM
- 商品编号
- C53114156
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 采用沟槽功率MOSFET技术
- 具备出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)
- 湿度敏感度等级为1级
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- VDs为30V
- D为0.34A
- Rds(ON)（在Vgs = 10V时）小于5300mΩ
- 100%经过EAS测试
- 100%经过VVds测试
应用领域
- 电源开关应用
- 不间断电源
- DC - DC转换器
- 电机驱动器