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PDTC114YU,115-JSM
内置偏置电阻的NPN硅数字晶体管，适用于简化逆变器电路设计和可靠数字开关
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- 描述
- 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 耗散功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE)：100@5mA,5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PDTC114YU,115-JSM
- 商品编号
- C53114150
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0281克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 70mA | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 68 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.4V@1mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 300mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 5.7 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品概述
PDTC114YU,115 - JSM是带有内置偏置电阻的NPN硅数字晶体管。它们采用多种紧凑型表面贴装封装，可简化逆变器电路设计，并为各种电子系统提供可靠的数字开关功能。
- 输入
- 接地
- 输出
商品特性
- 内置薄膜偏置电阻，无需外部输入电阻
- 完全的电阻隔离支持输入负偏置，寄生效应极小
- 仅需设置开/关状态即可轻松操作
- 高过渡频率（典型值250MHz），适用于高速开关
- 宽工作结温范围（-55~+150℃）
应用领域
- 消费电子
- 数字逆变器电路
- 便携式设备
- 低功耗电子系统
- 信号开关电路