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PESD3V3U1UB,115-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PESD3V3U1UB,115-JSM

用于保护电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件影响的器件,具备出色钳位能力、低泄漏和快速响应时间,适用于空间有限的设计

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描述
反向截止电压(Vrwm):3.3V 钳位电压:8V 峰值脉冲功率(Ppp):90W@8/20us 击穿电压:3.5V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PESD3V3U1UB,115-JSM
商品编号
C53114149
商品封装
SOD-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.023833克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性-
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压15V
峰值脉冲电流(Ipp)10A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)150W@8/20us
击穿电压(VBR)8.4V
属性参数值
反向电流(Ir)1uA
通道数-
工作温度-40℃~+125℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容50pF

商品概述

PESD3V3U1UB,115 - JSM 旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。这些器件具有出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,非常适合在电路板空间有限的设计中用于 ESD 保护。

商品特性

  • 小外形尺寸
  • 低本体高度
  • 关断电压:3.3V
  • 在 8 x 20μs 脉冲下,峰值功率高达 150 瓦
  • 低泄漏
  • 响应时间通常 <1 ns
  • 人体模型 3 级 ESD 等级(>16 kV)
  • IEC61000 - 4 - 2 4 级 ESD 保护
  • IEC61000 - 4 - 4 4 级 EFT 保护
  • 产品材料符合 RoHS 要求

应用领域

  • 手机
  • 便携式设备
  • 数码相机
  • 电源

数据手册PDF