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2N7002PW,115-JSM
N沟道晶体管，符合RoHS要求且无卤，ESD保护
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- 描述
- 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 导通电阻(RDS(on))：4Ω@4.5V,0.5A 耗散功率(Pd)：250mW 阈值电压(Vgs(th))：2.5V@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- 2N7002PW,115-JSM
- 商品编号
- C53114128
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0288克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 17pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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