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PMV50EPEAR-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMV50EPEAR-JSM

P沟道增强型功率MOSFET,可降低功耗、节约能源,适用于小功率管理电路

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描述
数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 导通电阻(RDS(on)):45mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)):3V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PMV50EPEAR-JSM
商品编号
C53114135
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.0325克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)11.65nC
属性参数值
输入电容(Ciss)572nF
反向传输电容(Crss)70nF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)82nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

这些微型表面贴装MOSFET可降低功率损耗、节约能源,使其成为小型电源管理电路的理想选择。

商品特性

  • V_DS = -30V, I_D = -4.1A
  • R_DS(ON) < 49 mΩ @VGS=-10V
  • R_DS(ON) < 65mΩ @V_GS = -4.5V
  • 高功率和电流处理能力
  • 产品符合无铅要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 电源管理
  • 视频监视器

数据手册PDF