PMV50EPEAR-JSM
P沟道增强型功率MOSFET,可降低功耗、节约能源,适用于小功率管理电路
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- 描述
- 数量:1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 导通电阻(RDS(on)):45mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)):3V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PMV50EPEAR-JSM
- 商品编号
- C53114135
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.65nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 572nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这些微型表面贴装MOSFET可降低功率损耗、节约能源,使其成为小型电源管理电路的理想选择。
商品特性
- V_DS = -30V, I_D = -4.1A
- R_DS(ON) < 49 mΩ @VGS=-10V
- R_DS(ON) < 65mΩ @V_GS = -4.5V
- 高功率和电流处理能力
- 产品符合无铅要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 视频监视器
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