BSH103,215-JSM
N沟道MOSFET,采用OTrenchFET技术,无铅,表面贴装封装,适用于便携式设备负载开关和DC/DC转换器
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- 描述
- 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):850mA 导通电阻(RDS(on)):650mΩ@2.5V 耗散功率(Pd):360mW 阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BSH103,215-JSM
- 商品编号
- C53114127
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.34nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54.5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
应用领域
- 便携设备的负载开关
- DC/DC转换器
- 2N7002PW,115-JSM
- PMV50EPEAR-JSM
- PMV48XP,215-JSM
- BSS84AKW,115-JSM
- PMV213SN,215-JSM
- PESD24VF1BLYL-JSM
- PESD24VS1UB,115-JSM
- PMEG10010ELR-JSM
- BAT54H,115-JSM
- PMEG3020EP,115-JSM
- PUMD13,115-JSM
- BC857BW,115-JSM
- BCX53,115-JSM
- PDZ12B,115-JSM
- TL431AIDBZR,215-JSM
- PMBTA06,215-JSM
- BC850C,215-JSM
- PESD3V3L5UY,115-JSM
- PMBTA56,215-JSM
- PRTR5V0U4D,125-JSM
- PESD3V3U1UB,115-JSM
