立创商城logo
购物车0
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/FPC/SMT工业品面板定制
立创商城logo
购物车0
PESD3V3X1BL,315-JSM实物图
  • PESD3V3X1BL,315-JSM商品缩略图
  • PESD3V3X1BL,315-JSM商品缩略图
  • PESD3V3X1BL,315-JSM商品缩略图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PESD3V3X1BL,315-JSM

双向配置、固态硅雪崩技术的ESD保护二极管，具有低钳位电压、低漏电流和低电容特性

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
反向截止电压(Vrwm)：3.3V 钳位电压：10V 峰值脉冲电流(Ipp)：4A@8/20us 峰值脉冲功率(Ppp)：70W@8/20us 击穿电压：5V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PESD3V3X1BL,315-JSM
商品编号
C53114103
商品封装
DFN1006-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.00967克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压20V
峰值脉冲电流(Ipp)3.5A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)70W@8/20us
击穿电压(VBR)7.5V
属性参数值
反向电流(Ir)100nA
通道数单路
工作温度-55℃~+150℃
防护等级IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
类型ESD
Cj-结电容0.4pF

商品特性

  • 70瓦峰值脉冲功率（脉冲时间tp = 8/20微秒）
  • 双向配置
  • 固态硅雪崩技术
  • 低钳位电压
  • 低泄漏电流
  • 低电容（典型值Cj = 0.4皮法，输入输出间）
  • 保护一条数据/电源线
  • IEC61000 - 4 - 2标准：接触放电±15千伏；空气放电±20千伏
  • IEC 61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群）40安（5/50纳秒）
  • IEC 61000 - 4 - 5（雷击浪涌）3.5安（8/20微秒）

应用领域

  • 手机及配件
  • 基于微处理器的设备
  • 个人数字助理（PDA）
  • 笔记本电脑、台式机和服务器
  • 便携式仪器

数据手册PDF

放大查看下载PDF