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BSS138BKS,115-JSM

双N沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进沟槽技术，适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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描述: 数量：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：410mA 导通电阻(RDS(on))：1.5Ω@10V；1.6Ω@4.5V 耗散功率(Pd)：417mW 阈值电压(Vgs(th))：1V@250uA
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: BSS138BKS,115-JSM
商品编号: C53114118
商品封装: SOT-363
包装方式: 编带
商品毛重: 0.028833克(g)

商品参数

该器件是一款双N沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供优异的低导通电阻和低栅极电荷，适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。封装为SOT-363。