PTVS15VS1UR,115-JSM
采用固态硅雪崩技术的小尺寸SOD123FL封装单向ESD保护二极管
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- 描述
- 极性:单向 反向截止电压(Vrwm):15V 钳位电压:32V 峰值脉冲电流(Ipp):120A@8/20us 峰值脉冲功率(Ppp):3.8kW@8/20us 击穿电压:16.7V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PTVS15VS1UR,115-JSM
- 商品编号
- C53114110
- 商品封装
- SOD-123FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034267克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 15V | |
| 钳位电压 | 32V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 120A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 3.8kW@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 16.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 1.02nF |
商品特性
- 3800瓦峰值脉冲功率(脉冲时间tp = 8/20微秒)
- 微型SOD123FL封装
- 单向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- 保护一条数据/电源线,符合以下标准:
- IEC 61000 - 4 - 2 ±30kV接触放电、±30kV空气放电
- IEC 61000 - 4 - 4(电快速瞬变脉冲群)40A(5/50纳秒)
- IEC 61000 - 4 - 5(雷击)120A(8/20微秒)
应用领域
- 手机及配件
- 基于微处理器的设备
- 个人数字助理(PDA)
- 笔记本电脑、台式机和服务器
- 便携式仪器
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