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PMV40UN2R-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMV40UN2R-JSM

N沟道增强型MOSFET,低导通电阻、低输入电容、快速开关速度

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描述
数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.7A 导通电阻(RDS(on)):44mΩ@4.5V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):900mV@250uA
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PMV40UN2R-JSM
商品编号
C53114086
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.032933克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.56W
阈值电压(Vgs(th))750mV
栅极电荷量(Qg)7.2nC
属性参数值
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)113pF
栅极电压(Vgs)±10V

商品特性

  • 在VGS=10V时,ID=6A
  • 在VGS=4.5V时,ID=5A
  • 在VGS=10V时,典型RDS(on)=19mΩ
  • 在VGS=4.5V时,典型RDS(on)=23mΩ
  • 在VGS=2.5V时,典型RDS(on)=31mΩ
  • 在VGS=1.8V时,典型RDS(on)=42mΩ
  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 低输入/输出漏电流

应用领域

  • 电源管理
  • 汽车电子
  • 便携式设备
  • 负载开关
  • 数字信号控制器

数据手册PDF