PMV40UN2R-JSM
N沟道增强型MOSFET,低导通电阻、低输入电容、快速开关速度
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- 描述
- 数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.7A 导通电阻(RDS(on)):44mΩ@4.5V 耗散功率(Pd):1W 阈值电压(Vgs(th)):900mV@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PMV40UN2R-JSM
- 商品编号
- C53114086
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 113pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品特性
- 在VGS=10V时,ID=6A
- 在VGS=4.5V时,ID=5A
- 在VGS=10V时,典型RDS(on)=19mΩ
- 在VGS=4.5V时,典型RDS(on)=23mΩ
- 在VGS=2.5V时,典型RDS(on)=31mΩ
- 在VGS=1.8V时,典型RDS(on)=42mΩ
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出漏电流
应用领域
- 电源管理
- 汽车电子
- 便携式设备
- 负载开关
- 数字信号控制器
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