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PUMD9,115-JSM

双偏置电阻晶体管，简化电路设计、减少电路板空间和元件数量

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品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: PUMD9,115-JSM
商品编号: C53114101
商品封装: SOT-363
包装方式: 编带
商品毛重: 0.029433克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	数字晶体管
	数量	1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置
	集射极击穿电压(Vceo)	50V
	集电极电流(Ic)	100mA
	耗散功率(Pd)	385mW
	晶体管类型	NPN+PNP
	直流电流增益(hFE)	140
	射基极击穿电压(Vebo)	-
	最小输入电压(VI(on))	-

	属性	参数值
	最大输入电压(VI(off))	-
	输出电压(VO(on))	-
	输入电阻	13kΩ
	电阻比率	0.25
	工作温度	-55℃~+150℃
	集射极饱和电压(VCE(sat))	250mV@10mA,0.3mA
	特征频率(fT)	-
	集电极截止电流(Icbo)	100nA

商品概述

BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些分立元件集成到单个器件中，省去了这些元件。在PUMD9,115 - JSM中，两个互补的BRT器件封装在SOT 363封装中，这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用来说是理想的选择。

商品特性

简化电路设计
减少电路板空间
减少元件数量
我们声明产品材料符合RoHS要求。

数据手册PDF

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