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PBSS4350T,215-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PBSS4350T,215-JSM

表面贴装NPN硅功率晶体管

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描述
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):2A 集射极击穿电压(Vceo):50V 耗散功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE):300@100mA,2V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PBSS4350T,215-JSM
商品编号
C53114093
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.030933克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)50V
直流电流增益(hFE)300
特征频率(fT)100MHz
属性参数值
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))80mV;280mV;260mV;160mV;370mV
工作温度-65℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN

数据手册PDF