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BSS84AK-JSM
P沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术和设计，适用于多种应用
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- 描述
- 数量：1个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：170mA 导通电阻(RDS(on))：3.3Ω@10V；3.5Ω@4.5V 耗散功率(Pd)：680mW 阈值电压(Vgs(th))：1.4V@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BSS84AK-JSM
- 商品编号
- C53114099
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0315克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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