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PMV37ENEAR-JSM

N沟道增强型MOSFET，采用沟槽功率MOSFET技术，具备低导通电阻、高散热性等特点，适用于电源开关等应用

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描述: 数量：1个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3.5A 导通电阻(RDS(on))：49mΩ@10V,3.5A 耗散功率(Pd)：710mW；8.3W 阈值电压(Vgs(th))：1.3V
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: PMV37ENEAR-JSM
商品编号: C53114098
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.057克(g)

商品参数

采用沟槽功率MOSFET技术，具备出色的散热封装，高密度单元设计实现低导通电阻（Rds(ON)），湿度敏感度等级为1级，环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级，无卤。