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PESD3V3S1BLYL-JSM

超低电容ESD保护二极管，适用于高速数据线瞬态保护

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描述: 极性：双向反向截止电压(Vrwm)：3.3V 钳位电压：6.5V 峰值脉冲电流(Ipp)：15A@8/20us 击穿电压：4.5V
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: PESD3V3S1BLYL-JSM
商品编号: C53114089
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.00947克(g)

商品参数

商品概述

PESD3V3S1BLYL-JSM是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS），旨在为高速数据接口提供静电放电（ESD）保护。其典型电容为0.25pF，旨在保护对寄生电感敏感的系统免受电压和过流瞬变的影响。它符合IEC 61000-4-2（ESD）4级（±15kV空气放电、±8kV接触放电）、IEC 61000-4-4（电气快速瞬变 - EFT）（40A，5/50 ns）以及快速充电设备模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等标准。

PESD3V3S1BLYL-JSM采用超小型DFN106封装。每个PESD3V3S1BLYL-JSM器件可以保护一条高速数据线。它为系统设计人员在空间受限的应用中保护单条数据线提供了灵活性。低电容、超小尺寸和高ESD鲁棒性的结合，使PESD3V3S1BLYL-JSM非常适合高速数据端口和高频线路，如智能手机和高清视觉设备中的线路。

商品特性

高速数据线瞬态保护，符合IEC 61000-4-2（ESD）标准
±15kV（空气放电）
±8kV（接触放电）
符合IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50 ns）标准
电缆放电事件（CDE）保护
针对高速线路优化的封装
超小型封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
可保护一条数据、控制线
低电容：0.25pF（典型值）
低泄漏电流
低钳位电压
DFN1006封装

应用领域

串行ATA
台式机、服务器和笔记本电脑
手机
MDDI端口
USB数据线保护
显示端口
数字视频接口（DV）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	-
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	21V
	峰值脉冲电流(Ipp)	-
	峰值脉冲功率(Ppp)	84W@8/20us
	击穿电压(VBR)	4.2V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	100nA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	TVS
	Cj-结电容	0.25pF