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PESD5V0U1BB,115-JSM

低电容双向TVS/ESD保护二极管，适用于高频设计和空间有限的应用

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描述: 反向截止电压(Vrwm)：5V 钳位电压：10V 击穿电压：6V
品牌名称: JSMSEMI(杰盛微)
商品型号: PESD5V0U1BB,115-JSM
商品编号: C53114085
商品封装: SOD-523
包装方式: 编带
商品毛重: 0.023633克(g)

商品参数

商品概述

PESD5V0U1BB,115-JSM 旨在保护电压敏感组件免受静电放电和瞬态电压事件的影响。其优异的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间，使其成为电路板空间受限设计中理想的静电放电保护方案。由于其尺寸小巧，适用于手机、便携设备、数码相机、电源以及许多其他对电路板空间有严格要求的便携式应用。同时，得益于其低电容特性，它也适用于高频设计，例如 USB 2.0 高速接口、VGA、DVI、SDI 以及其他高速线路应用。该器件专门设计用于保护连接至数据和传输线路的敏感组件，防止因静电放电和电气快速瞬变引起的过电压。

商品特性

符合 IEC61000-4-2 (ESD) 标准：±8kV（接触放电），±15kV（空气放电）
峰值功耗：35W (8/20μs)
保护一条 I/O 线路
低钳位电压
工作电压：5V
低泄漏电流
低电容

应用领域

高速线路
串行和并行端口
笔记本电脑、台式机、服务器
手机及配件
便携式仪器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	-
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	14V
	峰值脉冲电流(Ipp)	-
	峰值脉冲功率(Ppp)	35W@8/20us
	击穿电压(VBR)	9.4V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	2uA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	3pF