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STD11N65M5-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容、雪崩耐用
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至460mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V，具备良好的开关特性和热稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件在高频、高压工作环境下仍能保持较低的开关损耗与导通损耗，适合用于电源适配器、光伏逆变系统及高效能直流变换模块等应用场合，可提升整体系统能效并减小散热设计负担。
- 商品型号
- STD11N65M5-HXY
- 商品编号
- C52145211
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 176pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 17pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 610mΩ |
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