STD11N65M5-HXY

STD11N65M5-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至460mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V，具备良好的开关特性和热稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件在高频、高压工作环境下仍能保持较低的开关损耗与导通损耗，适合用于电源适配器、光伏逆变系统及高效能直流变换模块等应用场合，可提升整体系统能效并减小散热设计负担。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD11N65M5-HXY

商品编号

C52145211

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.444克(g)