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R6530KNXC7G-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强型，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、雪崩耐受
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和24A连续漏极电流（ID），导通电阻低至110mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定的栅极驱动与器件保护。碳化硅材料赋予其优异的高频开关性能、高温工作能力及抗热失控特性。适用于高效率电源转换装置，如大功率开关电源、可再生能源逆变系统、储能设备中的功率级电路以及对功率密度和热管理要求较高的电力电子应用。
- 商品型号
- R6530KNXC7G-HXY
- 商品编号
- C52145229
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.85克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ |
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