STF25N80K5-HXY

STF25N80K5-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和13.3A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为200mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具有出色的开关速度、耐高温性能及长期工作可靠性，适用于高效率电源转换系统，如高频DC-DC变换器、大功率逆变装置、新能源发电单元及高密度电源模块，有助于提升系统功率密度与整体能效水平。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF25N80K5-HXY

商品编号

C52145243

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)