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STF25N80K5-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻、雪崩耐用
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和13.3A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为200mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的优异特性，该器件具有出色的开关速度、耐高温性能及长期工作可靠性，适用于高效率电源转换系统，如高频DC-DC变换器、大功率逆变装置、新能源发电单元及高密度电源模块，有助于提升系统功率密度与整体能效水平。
- 商品型号
- STF25N80K5-HXY
- 商品编号
- C52145243
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ |