STF31N65M5-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于降低开关与导通损耗。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用宽禁带半导体材料，具有优异的高频、高温工作性能，适用于高效率电源转换设计。典型应用包括高密度开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的功率变换模块以及需要高耐压与低损耗特性的电力电子电路。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF31N65M5-HXY

商品编号

C52145233

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.87克(g)