SIHA21N80AEF-GE3-HXY

SIHA21N80AEF-GE3-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源耐压（VDSS）和13.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至200mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V，具备良好的开关特性与热稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件可在高频、高温及高压环境下可靠运行，适用于开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等应用，有助于提升系统整体能效并减小体积。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHA21N80AEF-GE3-HXY

商品编号

C52145242

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)