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R8019KNXC7G-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、雪崩耐用
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具有800V漏源电压（VDSS）和13.3A连续漏极电流（ID），导通电阻为200mΩ，支持高效能功率转换。栅源电压范围-4V至+18V，确保驱动稳定性与器件可靠性。采用碳化硅材料，具备优异的高温工作能力、高开关频率特性及低开关损耗，适用于高密度电源系统，如大功率开关电源、光伏并网逆变单元、储能装置中的直流变换模块以及高性能电力转换平台，有助于提升系统效率并优化热管理设计。
- 商品型号
- R8019KNXC7G-HXY
- 商品编号
- C52145244
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ |