R8019KNXC7G-HXY

R8019KNXC7G-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有800V漏源电压（VDSS）和13.3A连续漏极电流（ID），导通电阻为200mΩ，支持高效能功率转换。栅源电压范围-4V至+18V，确保驱动稳定性与器件可靠性。采用碳化硅材料，具备优异的高温工作能力、高开关频率特性及低开关损耗，适用于高密度电源系统，如大功率开关电源、光伏并网逆变单元、储能装置中的直流变换模块以及高性能电力转换平台，有助于提升系统效率并优化热管理设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R8019KNXC7G-HXY

商品编号

C52145244

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)