SIHA24N80AE-GE3-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、雪崩耐用

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备900V的漏源电压（VDSS）和24.9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至110mΩ，适用于高电压、大电流的功率转换场景。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，显著提升器件的开关速度与耐温性能，减少开关损耗。其高效率与高频率工作能力适用于高压直流变换、大功率电源模块及对热管理要求较高的电力电子系统，适合在紧凑型高功率密度设计中实现更优的能效表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHA24N80AE-GE3-HXY

商品编号

C52145246

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

3.11克(g)