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IPA80R280P7XKSA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强型，高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻、雪崩耐用
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和13.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至200mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V，确保可靠的栅极控制与器件保护。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的开关性能和高温工作能力，可有效降低系统能量损耗。典型应用包括高功率密度电源、直流电压变换模块以及要求严苛的电力电子变换装置，适合对热管理和电气效率有高要求的场景。
- 商品型号
- IPA80R280P7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C52145245
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 耗散功率(Pd) | 95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 508pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ |
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