IPA80R280P7XKSA1-HXY

IPA80R280P7XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和13.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至200mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-4V至+18V，确保可靠的栅极控制与器件保护。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的开关性能和高温工作能力，可有效降低系统能量损耗。典型应用包括高功率密度电源、直流电压变换模块以及要求严苛的电力电子变换装置，适合对热管理和电气效率有高要求的场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA80R280P7XKSA1-HXY

商品编号

C52145245

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)