FCPF150N65F-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻、雪崩耐用

描述

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统能效。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定的驱动控制与过压保护。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，器件具备优异的高温工作稳定性、快速开关能力及抗雪崩性能。适用于高频率功率变换电路、高效能源转换装置、不间断电源系统以及要求高耐压、低损耗的电力电子拓扑结构中的核心开关应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCPF150N65F-HXY

商品编号

C52145234

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.84克(g)