IPD80R280P7ATMA1-HXY

IPD80R280P7ATMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和14.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻为230mΩ，适用于高电压、高效率的开关应用。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，显著提升器件的耐压能力与开关速度，同时降低导通与开关损耗。其特性适合用于高压电源转换、可再生能源发电系统、不间断电源（UPS）以及高功率密度DC-DC变换器等场景，尤其在需要提升能效和热管理性能的系统中表现出色。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD80R280P7ATMA1-HXY

商品编号

C52145238

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.4625克(g)