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IPD80R280P7ATMA1-HXY
SiC功率N沟道增强型MOSFET，高耐压低导通电阻，高速开关低电容，雪崩耐量高
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和14.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻为230mΩ，适用于高电压、高效率的开关应用。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，显著提升器件的耐压能力与开关速度，同时降低导通与开关损耗。其特性适合用于高压电源转换、可再生能源发电系统、不间断电源（UPS）以及高功率密度DC-DC变换器等场景，尤其在需要提升能效和热管理性能的系统中表现出色。
- 商品型号
- IPD80R280P7ATMA1-HXY
- 商品编号
- C52145238
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 287.9pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 21.84pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 269mΩ |